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TMS320C5410燒寫Flash實現(xiàn)并行自舉引導
摘要：介紹在TMS320C5410環(huán)境下對Am29LV200BFlash存儲器進行程序燒寫，并且實現(xiàn)了TMS320C5410上電后用戶程序并行自舉引導。關鍵詞：Am29LV200BFlashDSP并行自舉引導自舉表
Flash是一種可在線進行電擦寫，掉電后信息不丟失的存儲器。它具有低功耗、大容量、擦寫速度快等特點，并且內(nèi)部嵌入算法完成對芯片的操作，因而在數(shù)字信號處理系統(tǒng)中得到了廣泛的應用。本文通過一個完整的實例，介紹Am29LV200BFlash存儲器的燒寫方法，實現(xiàn)TMS320C5410（以下簡稱C5410）上電后用戶程序的并行自舉引導。
1Am29LV200BFlash存儲器
1.1Flash存儲器簡介
Am29LV200B是AMD公司生產(chǎn)的Flash存儲器，其主要特點有：3V單電源供電，可使內(nèi)部產(chǎn)生高電壓進行編程和擦除操作；支持JEDEC單電源Flash存儲器標準；只需向其命令寄存器寫入標準的微處理器指令，具體編程、擦除操作由內(nèi)部嵌入的算法實現(xiàn)，并且可以通過查詢特定的引腳或數(shù)據(jù)線監(jiān)控操作是否完成；可以對任一扇區(qū)進行讀、寫或擦除操作，而不影響其它部分的數(shù)據(jù)。本文中128K×16位Am29LV200BFlash映射為C5410的片外數(shù)據(jù)存儲空間，地址為：0x8000~0xFFFF，數(shù)據(jù)總線16位，用于16位方式的并行引導裝載。128K的FlashROM用32K地址分四頁進行訪問，上電加載程序時使用FlashROM的第3頁。
1.2Flash存儲器的操作命令
向Flash存儲器的特定寄存器寫入地址和數(shù)據(jù)命令，就可對Flash存儲器編程，但要按一定的順序操作，否則就會導致Flash存儲器復位。由于編程指令不能使"0"寫為"1"，只能使"1"變?yōu)?0"，而擦除命令可使"0"變?yōu)?1"，所以正確順序是先擦除，后編程。下面就介紹幾個常用的操作命令：編程命令、擦除命令、讀數(shù)據(jù)命令、復位命令。
�、倬幊堂�。該命令向Flash的指定地址中寫入數(shù)據(jù)，需要四個總線周期，前兩個是解鎖周期，第三個是建立編程命令，最后一個周期完成向編程地址中寫入編程數(shù)據(jù)，如表1所列。
表1編程命令
周期1(解鎖)2（解鎖）3(建立）4（編程）地址0x5550x2AA0x555pa(編程地址)數(shù)據(jù)0xAA0x550xA0pa(編程數(shù)據(jù))
由于向每個編程地址寫入數(shù)據(jù)都需要四個周期，所以在循環(huán)寫Flash時使用宏比較簡單。FlashROM的首地址為0x8000，故偏移地址0x555對應物理地址就為0x8555。編程程序如下：
_WRITECOMMAND.macropa,pd;單一周期編程的寫命
�。涣詈�，pa是編程地址，pd是編程數(shù)據(jù)
PSHMAR1
STMpa,AR1;AR1指向編程地址
LDpd,A
STLA,*AR1;把編程數(shù)據(jù)放入AR1的編程地址中
RPT#12
NOP
POPMAR1
.endm
_WRITEFlash.macropar,pdr;編程宏,par是編程地址寄存
；器，pdr是存放編程數(shù)據(jù)的寄存器
_WRITECOMMAND#8555H,#0AAH;周期1（解鎖）
_WRITECOMMAND#82AAH,#055H;周期2（解鎖）
_WRITECOMMAND#8555H,#0A0H;周期3（建立）
LDpdr,A;周期4（編程）
STLA,par;把pdr寄存器中數(shù)據(jù)放入par
��；寄存器的地址中
RPT#12
NOP
_JUDGEpar,pdr;檢測編程是否正確，見Flash
�。坏牟僮鳈z測
.endm
_WRITECOMMAND是實現(xiàn)一個周期編程的寫命令宏，而_WRITEFlash是完成對指定地址編程的四個完整周期。
表2擦除命令
周期1(解鎖)2（解鎖）3(建立）4（解鎖）5(解鎖）6（片擦除）6（扇區(qū)擦除）地址0x5550x2AA0x5550x5550x2AA0x555SA(扇區(qū)地址)數(shù)據(jù)0xAA0x550x800xAA0x550x100x30
�、诓脸�。該命令有片擦除和扇區(qū)擦除兩種，都需要6個總線周期，前兩個解鎖周期，第三個建立周期，四、五兩個解鎖周期，最后是片擦除或扇區(qū)擦除周期，如表2所列。一旦執(zhí)行編程或擦除命令后，就啟動Flash的內(nèi)部編程或擦除算法，自動完成編程或擦除操作。擦除程序如下：
_ERASEFlash.macro;擦除宏
_WRITECOMMAND#8555H,#0AAH;周期1（解鎖）
_WRITECOMMAND#82AAH,#055H;周期2（解鎖）
_WRITECOMMAND#8555H,#080H;周期3（建立）
_WRITECOMMAND#8555H,#0AAH;周期4（解鎖）
_WRITECOMMAND#82AAH,#055H;周期5（解鎖）
_WRITECOMMAND#8555H,#010H;周期6（片擦除）
STM#8555H,AR3
LD#010H,A
STLA,*AR5
_JUDGE*AR3,*AR5;檢測是擦除結束，見Flash的
��；操作檢測
.endm
③讀數(shù)據(jù)命令。上電或內(nèi)部編程、擦除操作結束后就進入讀數(shù)據(jù)狀態(tài)，寫入要讀取的地址即可讀出該地址的數(shù)據(jù)。
④復位命令。它使存儲器復位，進入讀數(shù)據(jù)狀態(tài)，向任何一個地址寫入數(shù)據(jù)0xF0就能使Flash存儲器復位。在進行編程、擦除之前，都應先復位，在編程或擦除等正常操作中出現(xiàn)錯誤時也要復位。復位程序如下：
_RESETFlash.macro
_WRITECOMMAND#8001H,#0F0H
;向8001H寫入0F0H使Flash復位
RPT#12
NOP
.endm
1.3Flash的操作檢測
Flash內(nèi)部的編程或擦除算法可自動完成編程或擦除操作，但我們必須了解其內(nèi)部的操作檢測機制，以便知道操作是否完成或正確。常用檢測的狀態(tài)位有：跳變位（DQ6）、超時標志位（DQ5）、數(shù)據(jù)查詢位（DQ7）和Ready/Busy引腳（RY/）。檢測的方法有三種。第一種是判斷引腳RY/的狀態(tài)，在編程、擦除或擦除掛起操作過程中，RY/引腳一直為"0"，操作完成后變?yōu)?1"。第二種是檢測跳變位DQ6，在編程或擦除時對任何地址進行連續(xù)的讀均引起DQ6連續(xù)跳變，直至操作結束才停止跳變。最后一種是使用數(shù)據(jù)線的DQ7、DQ5：DQ7位在編程或擦除過程中輸出的數(shù)是寫入該位數(shù)據(jù)的反碼，當操作完成時輸出才變?yōu)閷懭朐撐坏臄?shù)據(jù)；DQ5的狀態(tài)為"1"時表示操作超時，此時應再讀一次DQ7的狀態(tài)，若DQ7輸出仍不是寫入的數(shù)據(jù)，則操作失敗，復位Flash，其流程如圖1所示。
檢測程序如下：
_JUDGE.macropar,pdr;檢測宏程序。par是編程地址寄存
�。黄�，pdr是存放編程數(shù)據(jù)的寄存器
_JUDGEBEGIN?:PSHMAR1
LDpdr,B;獲取寫入的數(shù)據(jù)
AND#00FFh,B;取被寫入數(shù)據(jù)的DQ7~DQ0
LDpar,A;讀被燒寫地址的數(shù)據(jù)
AND#00FFh,A;取DQ7~DQ0
STLA,TEMP;保存
LDA,-7,A;讀DQ7狀態(tài)
XORB,-7,A;是否是反碼？
BC_JUDGESUCCESS?,AEQ
;DQ7不是反碼而是寫入數(shù)據(jù)表示操作成功
BITFTEMP,#20h
BC_JUDGEBEGIN?,ntc
;DQ5=1表示操作超時
LDpar,A;再讀被燒寫地址的數(shù)據(jù)
AND#00FFh,A
LDA,-7,A
XORB,-7,A
BC_JUDGESUCCESS?,AEQ
;DQ7不是寫入數(shù)據(jù)，表示操作失敗
_JUDGEERRO?
_RESETFlash;復位Flash
_JUDGESUCCESS?
POPMAR1
.endm
2C5410的自舉引導
脫離仿真器獨立運行程序一般有兩種方式：一種是上電后用戶程序直接在Flash存儲器中運行，這種運行速度比較慢；另一種是上電或復位后將用戶程序從Flash存儲器引導到高速數(shù)據(jù)存儲器中運行，此方法最常用，可以較低的成本實現(xiàn)高速的運行。為了實現(xiàn)這個過程就必須運用DSP自舉引導功能。
（1）自舉引導
C5410上電復位后，首先檢查MP/MC狀態(tài)：如果為高電平，說明DSP處于微處理器工作方式，即從外部程序存儲器0FF80H地址開始執(zhí)行用戶程序；若為低電平，說明DSP被設置為微計算機工作方式，從片內(nèi)ROM的0FF80H地址開始執(zhí)行程序。0FF80H地址存放的是中斷向量表，它實為一條分支轉移指令（BD0F800H），使程序跳轉至0F800H執(zhí)行自舉引導程序（Bootloader）。Bootloader是固化在DSP芯片內(nèi)ROM中的一段程序代碼，其功能是將用戶程序從外部加載至片內(nèi)RAM或擴展的RAM中，使其高速運行。在搬運程序之前，Bootloader首先完成初始化工作：使中斷無效，內(nèi)部RAM映射到程序/數(shù)據(jù)區(qū)（OVLY=1），對程序和數(shù)據(jù)區(qū)均設置7個等待狀態(tài)等。C5410有以下幾種自舉引導方式：主機接口HPI、并行口（8/16位）、標準串行口（MCBSP0是16位引導模式，MCBSP2是8位引導模式）以及I/O口（8/16位）自舉引導方式。
�。�2）并行自舉引導
這種方式是比較常用的一種，外部存儲器的字寬為8位或16位。在自舉引導時，通過外部并行接口總線將這些代碼從數(shù)據(jù)存儲空間傳送到程序存儲空間，而且可以重新設置SWWSR及BSCR寄存器的內(nèi)容。并行自舉引導方式首先從地址為0FFFFH的I/O口讀取自舉表首地址的內(nèi)容，如果此內(nèi)容不符合8位或16位的引導方式，就從地址為0FFFFH的數(shù)據(jù)存儲器讀取，進行8位或16位并行自舉引導。所以，在燒寫Flash數(shù)據(jù)的同時，也要在0FFFFH燒入自舉表的首地址。引導流程如圖2所示。
（3）建立自舉表
自舉表內(nèi)容不僅包括欲加載的各段代碼，而且包括各段代碼長度、各代碼段存放的目標地址、程序入口地址等信息。若要完成自舉引導功能，必須建立正確的自舉表。自舉表可以由hex500格式轉換器自動生成；也可以手動建立自舉表，就是把被燒寫的程序直接放在燒寫程序中，根據(jù)被燒寫程序的相關信息手動建立自舉表。
3C5410燒寫Flash和并行自舉引導
下面通過一個Flash燒寫實例，介紹怎樣將用戶程序燒寫進Flash，以及怎樣手動建立自舉表，并且脫離仿真器以并行自舉引導方式使用戶程序獨立運行。被燒寫和燒寫程序如下：
.title"FLASH"
.mmregs
SWCR.set002BH
TEMP.set0060H
.data
.sect".BOOT"
.labelBOOTTABLE;自舉表開始
.word10AAH;16位自舉標記
.word7FFFH;7個等待周期（SWWSR）
.word0F000H;塊轉換寄存器（BSCR）
.word0000h;程序入口XPC
.word0200h;程序入口地址（MAIN_START）
.wordLOADEND-LOADSTART
;程序塊長度（0116H）
.word0000h;存放目標XPC
.word0100h;存放目標地址
LOADSTART:;中斷向量表開始地址
.copy"vector.asm";復位處跳轉MAIN_START
MAIN_START:;被燒寫的主程序
STM#0F7h,SP
STM#012Ch,PMST
;IPTR=01(中斷向量指針為100,指向目標地址),MP/MC=0,OVLY=1,AVIS=0,DROM=1,CLKOFF=1
LOOPF:RSBXXF;XF置低
CALLDELAY;延時
SSBXXF;XF置高
CALLDELAY
BLOOPF
DELAY:PSHMAR6
STM#0090H,AR6
DELAY_LOOP:
RPT#0FF0h
NOP
BANZDELAY_LOOP,*AR6-
POPMAR6
RET
LOADEND;被燒寫的程序結束
.space20h
.mmregs
.labelFINDTABLE
.word8000h
.text
ERASE_WRITE_Flash:;燒寫程序開始
STM#0FFA0H,PMST
STM#07FFFH,SWWSR
STM#0FFFFH,SWCR
_RESETFlash;Flash復位
_ERASEFlash;擦除Flash
WRIFlashSTART:;開始編程Flash
SSBXSXM
RSBXOVM
_RESETFLASH;Flash復位
STM#8000H,AR0;Flash起始地址8000H
STMBOOTTABLE,AR5;被燒寫的源地址（自舉
；表首地址）
STM#(LOADEND-BOOTTABLE),AR4
;寫入011E個字
WRI_RPT
_WRITEFlash*AR0,*AR5;調(diào)入編程宏
LD*AR0+,A
LD*AR5+,A;完成AR0和AR5地址自動加1
BANZWRI_RPT,*AR4-
STM#0FFFFH,AR0;AR0指向數(shù)據(jù)空間的FFFF
��；地址
STMFINDTABLE,AR5
_WRITEFlash*AR0,*AR5;向數(shù)據(jù)空間的FFFF
；地址寫入自舉表的首地址8000H
ENDD:NOP
BENDD
.end
被燒寫的主程序是從MAIN_START開始，一直到LOADEND。程序的主要功能是不斷改變XF引腳的狀態(tài)。LOADSTART是中斷向量文件（vector.asm）的開始，在中斷復位（RESET）處放入一條跳轉到MAIN_START指令（BDMAIN_START）。ERASE_WRITE_FLASH是燒寫程序的開始，只要程序指針（PC）指向ERASE_WRITE_FLASH，開始運行就可以完成對Flash的燒寫操作。從自舉表首地址BOOTTABLE（0F8H）到LOADEND（0216H）存放的數(shù)據(jù)就是要寫入Flash的內(nèi)容，從LOADSTART到LOADEND的數(shù)據(jù)是DSP自舉程序從Flash搬運到片內(nèi)RAM的程序，具體如下：
00F8H:BOOTTABLE;自舉表開始
0100H:LOADSTART;中斷向量表首地址
0100H:RESET:BDMAIN_START
...;中斷向量表的內(nèi)容
0178H:RESERVED
0200H:MAIN_START
...;主程序
0216H:LOADEND
被燒寫的程序只需一個段，根據(jù)以上信息就可以完成自舉表的內(nèi)容，如表3所列。
表1自舉表
數(shù)據(jù)區(qū)地址內(nèi)容含義8000H10AA16位自舉標記8001H7FFFSWWSR8002HF000BSCR8003H0000程序入口XPC8004H0200程序入口地址8005H0123程序段長度8006H0000存放目標XPC8007H0100存放目標地址8008HF273程序代碼18009H0200程序代碼2………………811DHFC00程序代碼811EH0000結束………………FFFFH8000自舉表存放首地址
整個并行自舉引導過程為：C5410上電復位后，判斷MP/MC=0處于微計算機工作方式，從片內(nèi)ROM的0FF80H處執(zhí)行中斷向量表的分支轉移指令（BD0F800H），使程序跳轉至0F800H處執(zhí)行自舉引導程序。自舉引導程序完成初始化后，讀取數(shù)據(jù)空間的0FFFFH地址的內(nèi)容，找到自舉表首地址8000H，從8000H處開始讀取內(nèi)容。首先，是16位自舉標記（10AA）。然后分別是寄存器SWWSR及BSCR的內(nèi)容，程序入口地址、代碼段長度、存放代碼段的目標地址等信息。最后，根據(jù)這些信息把Flash的8008H到811EH的程序搬運到片內(nèi)RAM的100H開始的地址中，跳轉至片內(nèi)RAM100H、即PC為100H、XPC為0，開始執(zhí)行用戶程序，完成用戶程序的并行自舉過程。
結語
把程序燒寫入Flash后，復位C5410，使其處于微計算機工作方式；使用示波器測試XF引腳，觀察程序運行正確與否。通過上述方法可完成C5410對Am29LV200BFlash的燒寫，很好地實現(xiàn)了C5410上電后的用戶程序自舉引導功能。
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